Show simple item record

dc.contributor.advisorBacıoğlu, Akın
dc.contributor.authorSalkım, Gurur
dc.date.accessioned2018-12-26T10:27:29Z
dc.date.issued2018
dc.date.submitted2018-09-07
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11655/5497
dc.description.abstractA 14 nm - thick aluminum film is coated on a glass substrate by using an e-Beam Evaporation system, Then onto the top of the aluminum layer, hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film is deposited by using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method, at a thickness of 100 nm. The deposited samples with the structure of glass / Al / a-Si:H are annealed in ambient conditions to grow polycrystalline silicon (pc-Si) structure, at different temperatures ranging from 250 to 500 °C and at different durations, from 1 to 24 hours. To evaluate the crystal ratio and polycrystalline formation, mainly Raman Spectroscopy and Scanning Electron Microscopy are carried out. The results show that none of the annealed samples below 400°C exhibits crystal formation. The crystallization is observed to start for the samples annealed at and above 400°C. It is also concluded that not only the temperature and annealing periods are critical but also the ambient conditions, particularly pressure, has an important effect on the onset of the crystal formation. The change of electrical resistivity by poly-crystal formation is also studied. From the direct current IV measurements, it is found that the resistivity of the samples is increased sharply by both annealing temperature and time, which is parallel to the observation on the onset of the polycrystal formation.tr_TR
dc.language.isoturtr_TR
dc.publisherFen Bilimleri Enstitüsütr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesstr_TR
dc.subjectMetal Etkileşimli Kristalleşmetr_TR
dc.subjectAlüminyum Etkileşimli Kristalleşmetr_TR
dc.subjectPolikristal Silisyumtr_TR
dc.titleMetal Etkileşimli Kristalleşme Yöntemi İle Polikristal Silisyum İnce Film Üretimi Ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesitr_TR
dc.typemasterThesistr_TR
dc.description.ozetElektron demeti buharlaştırma tekniğiyle 14 nm kalınlığında alüminyum (Al) metali atılmış cam alttaban üzerine, Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD) sisteminde, 100 nm kalınlığında hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) kaplanmıştır. Kaplama işlemi sonunda oluşan cam / Al / a-Si:H yapısındaki örnekler, 250 - 500 °C ve 1 - 24 saat aralığında değişen tavlama sıcaklığı ve sürelerinde, atmosfer ortamında tavlanarak pc-Si yapısı üretilmiştir. Polikristal silisyum örneklerin, Raman Spektroskopisi ve Taramalı Elektron Mikroskobu ile yapısal analizleri yapılarak, kristal oluşumu incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre 400°C’nin altındaki tavlama sıcaklıklarında kristalleşmeye rastlanmamıştır. 400°C ve üzeri sıcaklıklarda yapılan tavlamalarda ise farklı kristalizasyon oranlarında kristalleşmenin oluştuğu gözlenmiştir. Ayrıca tavlama sıcaklığı ve süresi kadar dış ortam koşullarının, özellikle basıncın da kristalizasyonun başlaması üzerinde önemli etkisi olduğu sonucuna varılmıştır. Kristal oluşumunun, elektriksel dirence etkisi de araştırılmıştır. Doğru akım IV ölçüm sonuçlarından, polikristal oluşumuna paralel olarak, örneklerin özdirençlerinin tavlama süresi ve sıcaklığı ile keskince arttığı gözlenmiştir.tr_TR
dc.contributor.departmentTemiz Tükenmez Enerjilertr_TR
dc.embargo.termsAcik erisimtr_TR
dc.embargo.lift2018-12-26T10:27:29Z


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record